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SS34Fは40V・3A対応の薄型SMAFショットキー。小型電源・DC-DC回路に最適
SS34Fは、40V・3A対応のパワーショットキーバリアダイオードで、薄型SMAFパッケージを採用した小型電源向け製品です。 SS34（SMAG）と同等の電気特性を持ちながら、実装高さを抑えた設計により、高密度実装や省スペース化に対応します。 低順方向電圧（低VF）による高効率動作が可能で、電源損失の低減に貢献します。 DC-DCコンバータ、LED電源、バッテリー機器、産業機器電源など幅広い用途に適しており、 既存SS34からの置換だけでなく、新規設計における小型化ニーズにも対応可能です。 コストダウンや設計最適化の提案にも柔軟に対応します。
![[Analysis Case] SiC by SIMS](https://image.mono.ipros.com/public/product/image/235/2000244338/IPROS1446214273548249992.jpg?w=280&h=280)
Imaging SIMS allows for the evaluation of localized elements.
We disassembled a commercially available SiC Schottky diode and conducted imaging SIMS measurements to evaluate the concentration distribution of the dopant element Al in a 40μm square area to a depth of 0.5μm. From the data processing after the imaging SIMS measurements, we extracted the depth-wise concentration distribution of Al localized within the sample surface and present a case study comparing the concentration distributions for each pattern.
- Zero-bias Schottky diode - Output signal optimized for terahertz power - Ideal for terahertz imaging
- Zero-bias Schottky diode - Output signal optimized for terahertz power - Ideal for terahertz imaging - Two versions: high sensitivity / wide bandwidth - The ultra-fast version enables measurement of all THz pulses
